2N3906 транзистор: характеристики (datasheeet), российские аналоги, цоколевка

Транзистор 2N3906

Биполярный транзистор 2N3906 с PNP структурой, выполнен по эпитаксиально-планарной технологии и предназначен для обычного применения и применения в ключевых режимах. Конструктивное исполнение — ТО-92.

Цоколевка и монтажные размеры

В нижнем торце корпуса имеются три гибких вывода (Зависит от модификации транзистора). Если смотреть на маркировку, вывода слева направо определяются, как эмиттер, база, коллектор.

Транзистор 2N3906

 

2N3906 монтажные размеры

Характерные особенности

  • Незначительный ток утечки в выключенном состоянии ICEX ≤ 50нА, IBL ≤ 50нА (при VCE = 30 В, VEB = 3 В).
  • Малое падение напряжения в состоянии насыщения VCE(sat) ≤ 0,4 В (при IC = 50 мА и IB = 5 мА).
  • Низкая выходная емкость коллектора Cob ≤ 4pF (при VCB = 5 В).
  • Комплементарная пара — 2N3904A.

Предельные эксплуатационные характеристики

Примечание. Предельные характеристики транзистора подразумевают невозможность эксплуатации при превышении этих параметров без риска потери изделия или существенного ухудшения его характеристик.

ХарактеристикаОбозначениеЗначение
Напряжение коллектор – база транзистора, ВVCBO40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВVCEO40
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВVEBO5
Ток коллектора, мАIC200
Ток базы транзистора, мА IB50
Рассеиваемая мощность, ВтПри температуре окружающей среды Ta = 25°CPC0,625
При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C1,5
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstgот -50 до 150

Типовые термические характеристики

ХарактеристикаОбозначение

Значение
Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/ВтRƟJA
200
Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/ВтRƟJC83,3

Электрические характеристики

При температуре внешней среды (Ta ) 25°C.

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Ток коллектора выключения, нАICEXVCE = 30 В, VEB = 3 В≤ 50
Ток базы выключения, нАIBLVCE = 30 В, VEB = 3 В≤ 50
Напряжение пробоя коллектор – база, В V(BR)CBOIC = 10мкА, IE = 0≥ 40
Напряжение пробоя коллектор – эмиттер, ВV(BR)CEOIC = 10мА, IB = 0≥ 40
Напряжение пробоя эмиттер – база, ВV(BR)EBOIE = 10мкА, IC = 0≥ 5
Статический коэффициент усиления по токуhFE(1)VCE = 1 В, IC = 0,1 мА≥ 60
hFE(2)VCE = 1 В, IC = 1 мА≥ 80
hFE(3)VCE = 1 В, IC = 10 мАот 100 до 300
hFE(4)VCE = 1 В, IC = 50 мА≥ 60
hFE(5)VCE = 1 В, IC = 100 мАот 30 до 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, ВVCE(sat)1IC = 10 мА, IB = 1 мА≤ 0,25
VCE(sat)2IC = 50 мА, IB = 5 мА≤ 0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер, ВVBE(sat)1IC = 10 мА, IB = 1 мА≤ 0,85
VBE(sat)2IC = 50 мА, IB = 5 мА≤ 0,95
Частота среза, МГцfTVCE = 20 В, IC = 10 мА, f =100 МГц≥ 250
Выходная емкость коллектора, pFCobVCB = 5 В, IE = 0, f = 1МГц≤ 4,5
Входная емкость, pFCibVBE = 0,5 В, IС = 0, f = 1МГц≤ 10
Входной импеданс, кОмhieVCE = 10 В, IC = 1 мА, f = 1 кГцот 2 до 12
Коэффициент обратной связи по напряжениюhreот 1 до 10
Коэффициент усиления при малом сигналеhfeот 100 до 400
Выходная проводимость, мкСмhoeот 3 до 60
Коэффициент шума транзистора,dBNFVCE = 5В, ICE = 0,1мА, Rg = 1кОм, f = от 10 Гц до 15,7 кГц≤ 4,0
Времена режима переключенияtdСм. Рис. 16≤ 35
tr≤ 35
tstg (ts)См. Рис. 17≤ 225
tf≤ 75

Обозначения и модификации транзистора 2N3906

В информационных материалах компаний-производителей электронных компонентов встречается огромное разнообразие обозначений транзисторов типа 2n3906, отличающихся в основном набором т.н. «суффиксов». При этом в подавляющем числе случаев изделия имеют одинаковую маркировку, но различаются по особенностям технологии изготовления и монтажа (пайки) с применением или без применения экологически вредных материалов.

Вместе с тем, в ряде случаев имеются различия в параметрах, относящихся к ограничениям по мощности рассеивания и величинам тепловых сопротивлений п/п приборов. Различия возникают в случаях размещения п/п структуры в корпусах других (кроме ТО–92) типов и, по всей видимости, в силу отличий технологий изготовления у разных производителей. Другие электрические параметры транзисторов сохраняют свои значения. Различия в значениях предельных тепловых параметров даны в сравнительной таблице.

Обозначение транзистораКорпусRJƟC, °С/ВтRƟJA, °С/ВтPC, мВтКомпания-производитель
2N3906TO - 9283200625ON Semiconductor
2N3906BUTO - 9283200625Fairchild Semiconductor
2N3906NTO – 92N--400AUK Corp.
2N3906SSOT – 23-250300ISC (Inchange Semiconductor)
2N3906USOT – 23-833150First Silicon Corp.
2N3906ESOT – 23--100KEC (Korea Electronics)
2N3906E1GSOT – 23-400200First Silicon Corp.
MMBT3906SOT – 23-357350Fairchild Semiconductor
PZT3906SOT - 223-1251000

Вывод: при расчетах или анализе предельных тепловых режимов работы транзистора 2n3906 нужно учитывать конкретные технические данные от конкретного производителя.

Аналоги импортного и отечественного производства

Тип транзистораPC VCEOVEBOICTJfTCChFEТип корпуса
2N 3906A0,6254050,21502504,5100ТО-92
Импортные аналоги
MMBT 3900,354050,21502504,5100SOT-23
PZT 390614050,21502504,5100SOT-223
H2N 39060,6254050,21502504,5100ТО-92
KN 39060,6254050,21502504,5100ТО-92
2N 39050,6254050,21502004,5100ТО-92
2SB 10140,76081185160ТО-92
2SB 977A0,7550811953000ТО-92
BC 327-0250,6254550,515026010160ТО-92
KN 44030,6254050,61502008,5100ТО-92
KSP 75/76/770,62540/50/60100,515010000ТО-92
TIPP 115/116/1170,860/80/100521501000ТО-92
TIS 91 (M)0,6254050,4150100ТО-92
ECG 23420,880511502002000ТО-92
BSR 620,880511502001000ТО-92
Аналоги производства РФ и Республики Беларусь
КТ 6109D/G0,6254050,5150144/112ТО-92
КТ361Г/В2/Д2/К20,1535 – 6040,051502507350ТО-92
КТ502В/Г/Д /Е0,35400,151505120ТО-92
КТ6136А0,6254050,21502504,5300ТО-92
КТ313Б/В0,36050,3515020012300ТО-92

Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.

Графические данные

Зависимость коэффициента усиления по току от величины тока коллектора

Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току hFE от величины тока коллектора IC при различных температурах (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

 

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

 

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

 

Зависимость напряжения включения база-эмиттер тока коллектора

Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

 

Зависимость тока выключения транзистора от температуры окружающей среды

Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).

 

Зависимость рассеиваемой транзистором мощности от температуры окружающей среды

Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.

 

Зависимость коэффициента усиления тока от величины тока коллектора

Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

 

Зависимость полной выходной проводимости от величины тока коллектора

Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

 

Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора

Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

 

Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению от тока коллектора

Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.

 

Зависимости емкостей переходов эмиттер-база и коллектор-база

Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).

 

Зависимость коэффициента шума транзистора от частоты передаваемого сигнала

Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).

 

Зависимость коэффициента шума транзистора от величины внутреннего сопротивления источника сигнала

Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).

 

Зависимости отрезков времени переключения от величины тока коллектора

Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).

 

Зависимости времени включения и выключения от величины коллекторного тока

Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).

 

Транзистор 2N3906

Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.

 

Транзистор 2N3906

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (tstg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

 

radiosvod.ru
Добавить комментарий