Биполярный транзистор 2N3906 с PNP структурой, выполнен по эпитаксиально-планарной технологии и предназначен для обычного применения и применения в ключевых режимах. Конструктивное исполнение — ТО-92.
Цоколевка и монтажные размеры
В нижнем торце корпуса имеются три гибких вывода (Зависит от модификации транзистора). Если смотреть на маркировку, вывода слева направо определяются, как эмиттер, база, коллектор.
Характерные особенности
- Незначительный ток утечки в выключенном состоянии ICEX ≤ 50нА, IBL ≤ 50нА (при VCE = 30 В, VEB = 3 В).
- Малое падение напряжения в состоянии насыщения VCE(sat) ≤ 0,4 В (при IC = 50 мА и IB = 5 мА).
- Низкая выходная емкость коллектора Cob ≤ 4pF (при VCB = 5 В).
- Комплементарная пара — 2N3904A.
Предельные эксплуатационные характеристики
Примечание. Предельные характеристики транзистора подразумевают невозможность эксплуатации при превышении этих параметров без риска потери изделия или существенного ухудшения его характеристик.
| Характеристика | Обозначение | Значение | |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 40 | |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 40 | |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 5 | |
| Ток коллектора, мА | IC | 200 | |
| Ток базы транзистора, мА | IB | 50 | |
| Рассеиваемая мощность, Вт | При температуре окружающей среды Ta = 25°C | PC | 0,625 |
| При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C | 1,5 | ||
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 | |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | от -50 до 150 | |
Типовые термические характеристики
| Характеристика | Обозначение | Значение |
|---|---|---|
| Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт | RƟJA | 200 |
| Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJC | 83,3 |
Электрические характеристики
При температуре внешней среды (Ta ) 25°C.
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, нА | ICEX | VCE = 30 В, VEB = 3 В | ≤ 50 |
| Ток базы выключения, нА | IBL | VCE = 30 В, VEB = 3 В | ≤ 50 |
| Напряжение пробоя коллектор – база, В | V(BR)CBO | IC = 10мкА, IE = 0 | ≥ 40 |
| Напряжение пробоя коллектор – эмиттер, В | V(BR)CEO | IC = 10мА, IB = 0 | ≥ 40 |
| Напряжение пробоя эмиттер – база, В | V(BR)EBO | IE = 10мкА, IC = 0 | ≥ 5 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE(1) | VCE = 1 В, IC = 0,1 мА | ≥ 60 |
| hFE(2) | VCE = 1 В, IC = 1 мА | ≥ 80 | |
| hFE(3) | VCE = 1 В, IC = 10 мА | от 100 до 300 | |
| hFE(4) | VCE = 1 В, IC = 50 мА | ≥ 60 | |
| hFE(5) | VCE = 1 В, IC = 100 мА | от 30 до 60 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | VCE(sat)1 | IC = 10 мА, IB = 1 мА | ≤ 0,25 |
| VCE(sat)2 | IC = 50 мА, IB = 5 мА | ≤ 0,4 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | VBE(sat)1 | IC = 10 мА, IB = 1 мА | ≤ 0,85 |
| VBE(sat)2 | IC = 50 мА, IB = 5 мА | ≤ 0,95 | |
| Частота среза, МГц | fT | VCE = 20 В, IC = 10 мА, f =100 МГц | ≥ 250 |
| Выходная емкость коллектора, pF | Cob | VCB = 5 В, IE = 0, f = 1МГц | ≤ 4,5 |
| Входная емкость, pF | Cib | VBE = 0,5 В, IС = 0, f = 1МГц | ≤ 10 |
| Входной импеданс, кОм | hie | VCE = 10 В, IC = 1 мА, f = 1 кГц | от 2 до 12 |
| Коэффициент обратной связи по напряжению | hre | от 1 до 10 | |
| Коэффициент усиления при малом сигнале | hfe | от 100 до 400 | |
| Выходная проводимость, мкСм | hoe | от 3 до 60 | |
| Коэффициент шума транзистора,dB | NF | VCE = 5В, ICE = 0,1мА, Rg = 1кОм, f = от 10 Гц до 15,7 кГц | ≤ 4,0 |
| Времена режима переключения | td | См. Рис. 16 | ≤ 35 |
| tr | ≤ 35 | ||
| tstg (ts) | См. Рис. 17 | ≤ 225 | |
| tf | ≤ 75 |
Обозначения и модификации транзистора 2N3906
В информационных материалах компаний-производителей электронных компонентов встречается огромное разнообразие обозначений транзисторов типа 2n3906, отличающихся в основном набором т.н. «суффиксов». При этом в подавляющем числе случаев изделия имеют одинаковую маркировку, но различаются по особенностям технологии изготовления и монтажа (пайки) с применением или без применения экологически вредных материалов.
Вместе с тем, в ряде случаев имеются различия в параметрах, относящихся к ограничениям по мощности рассеивания и величинам тепловых сопротивлений п/п приборов. Различия возникают в случаях размещения п/п структуры в корпусах других (кроме ТО–92) типов и, по всей видимости, в силу отличий технологий изготовления у разных производителей. Другие электрические параметры транзисторов сохраняют свои значения. Различия в значениях предельных тепловых параметров даны в сравнительной таблице.
| Обозначение транзистора | Корпус | RJƟC, °С/Вт | RƟJA, °С/Вт | PC, мВт | Компания-производитель |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3906 | TO - 92 | 83 | 200 | 625 | ON Semiconductor |
| 2N3906BU | TO - 92 | 83 | 200 | 625 | Fairchild Semiconductor |
| 2N3906N | TO – 92N | - | - | 400 | AUK Corp. |
| 2N3906S | SOT – 23 | - | 250 | 300 | ISC (Inchange Semiconductor) |
| 2N3906U | SOT – 23 | - | 833 | 150 | First Silicon Corp. |
| 2N3906E | SOT – 23 | - | - | 100 | KEC (Korea Electronics) |
| 2N3906E1G | SOT – 23 | - | 400 | 200 | First Silicon Corp. |
| MMBT3906 | SOT – 23 | - | 357 | 350 | Fairchild Semiconductor |
| PZT3906 | SOT - 223 | - | 125 | 1000 |
Вывод: при расчетах или анализе предельных тепловых режимов работы транзистора 2n3906 нужно учитывать конкретные технические данные от конкретного производителя.
Аналоги импортного и отечественного производства
| Тип транзистора | PC | VCEO | VEBO | IC | TJ | fT | CC | hFE | Тип корпуса |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N 3906A | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| Импортные аналоги | |||||||||
| MMBT 390 | 0,35 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-23 |
| PZT 3906 | 1 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-223 |
| H2N 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| KN 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2N 3905 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 200 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2SB 1014 | 0,7 | 60 | 8 | 1 | 185 | 160 | ТО-92 | ||
| 2SB 977A | 0,75 | 50 | 8 | 1 | 195 | 3000 | ТО-92 | ||
| BC 327-025 | 0,625 | 45 | 5 | 0,5 | 150 | 260 | 10 | 160 | ТО-92 |
| KN 4403 | 0,625 | 40 | 5 | 0,6 | 150 | 200 | 8,5 | 100 | ТО-92 |
| KSP 75/76/77 | 0,625 | 40/50/60 | 10 | 0,5 | 150 | 10000 | ТО-92 | ||
| TIPP 115/116/117 | 0,8 | 60/80/100 | 5 | 2 | 150 | 1000 | ТО-92 | ||
| TIS 91 (M) | 0,625 | 40 | 5 | 0,4 | 150 | 100 | ТО-92 | ||
| ECG 2342 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 2000 | ТО-92 | |
| BSR 62 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 1000 | ТО-92 | |
| Аналоги производства РФ и Республики Беларусь | |||||||||
| КТ 6109D/G | 0,625 | 40 | 5 | 0,5 | 150 | 144/112 | ТО-92 | ||
| КТ361Г/В2/Д2/К2 | 0,15 | 35 – 60 | 4 | 0,05 | 150 | 250 | 7 | 350 | ТО-92 |
| КТ502В/Г/Д /Е | 0,35 | 40 | 0,15 | 150 | 5 | 120 | ТО-92 | ||
| КТ6136А | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 300 | ТО-92 |
| КТ313Б/В | 0,3 | 60 | 5 | 0,35 | 150 | 200 | 12 | 300 | ТО-92 |
Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.
Графические данные
Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току hFE от величины тока коллектора IC при различных температурах (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).
Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).
Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).
Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).
Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).
Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.
Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.
Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).
Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).
Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).
Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).
Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).
Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.
Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (tstg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.
Автор публикации
