Транзистор 13001: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Транзистор 13001

13001 — кремниевый, со структурой NPN, высоковольтный транзистор средней мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение — TO-92 (L, S, T), TO-126; а также исполнение SMD — SOT-89, SOT-23.

Корпус и цоколевка

Транзистор 13001

Предназначение

Транзистор разработан для применения в качестве переключающего элемента в импульсных модулирующих устройствах общего назначения.

Характерные особенности

  • Высокое пробивное напряжение: UCBO = 600 В.
  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 0,75 В при IC = 0,1 А
  • Высокая скорость переключений.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO600
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO400
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO6
Ток коллектора постоянный, АIC0,3
Ток коллектора импульсный, АICP 0,6
Ток базы постоянный, АIB0,04
Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), ВтPC1
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), ВтPC10
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Напряжение коллектор-база, ВUCBOIC = 100 мкА600
Напряжение коллектор-эмиттер, ВUCEO IC = 10 мА400
Напряжение эмиттер-база, ВUEBO IE = 10 мкА6
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB = 550 В10
Ток коллектора выключения, мАICEOUCB = 400 В10
Ток эмиттера выключения, мкА IEBOUEB = 6,0 В10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)1 ٭IC = 50 мА, IB = 10 мА0,4
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)2 ٭ IC = 100 мА, IB = 20 мА0,75
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) ٭IC = 50 мА, IB = 10 мА1
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭ UCE = 10,0 В, IC = 10 мА≥ 8
hFE (2) ٭ UCE = 10,0 В, IC = 50 мА10…36

٭ — получено в импульсном режиме: длительность импульса – 380 мкс, скважность поступления импульсов — ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C.

Модификации и группы

ТипPC UCBUCEUBEICTJfThFEГруппы по hFEВрем. параметры: ton / tstg / tf мксКорпус
13001-00,870040090,4150˃ 58…30-0,7 / 1,8 / 0,6TO-92T
13001-20,870040090,45150˃ 58…30-0,7 / 2,0 / 0,6TO-92T
13001-A0,860040090,5150˃58…30-0,7 / 2,5 / 0,6TO-92T
3DD130010,7560040070,2150˃85…26Группы A/B- / 1,5 / 0,3TO-92
3DD13001A10,860040090,25150˃515…30-0,8 / 1 / 1TO-92
3DD13001P0,660040090,17150˃515…30-1 / 3 / 1TO-92
3DD13001P10,660040090,2150˃515…30-1 / 3 / 1TO-92
3DD13001A10,860040090,25150˃515…30-1 / 3 / 1TO-92
ALJ13001160040070,2150˃810…4010 групп без обозначения- / 1,5 / 0,3TO-92
CD130010,950040090,5150--6 групп A/B/C/…/F- / 1,5 / 0,3TO-92
CS130010,7570048090,2150-8…30 4 группы без обозначения-TO-92
HMJE13001160040060,3150-8…36--TO-92
MJ13001A0,62550040080,5150˃108…40--TO-92
MJE130010,7560040070,2150˃810…7012 групп A/B/C…/L-TO-92,
SOT-89
MJE13001A10,860040090,17150˃510…40-- / 3 / 1,2TO-92
MJE13001A20,860040090,17150˃510…40-- / 3 / 1,2TO-92L
MJE13001AH170048090,3150-5…30-- / 2 / 0,8TO-92(S)
MJE13001B1160040090,2150˃510…40-- / 3 / 0,6TO-92
MJE13001C1160040090,25150˃510…40-- / 3 / 0,6TO-92
MJE13001C2160040090,25150˃510…40-- / 3 / 0,6TO-92L
MJE13001DE1160040090,5150˃510…40-- / 3 / 0,8TO-92
MJE13001E1160040090,45150˃510…40-- / 3 / 0,6TO-92
MJE13001E2160040090,45150˃510…40- / 3 / 0,6TO-92L
MJE13001H170048090,18150-5…30--TO-92(S)
MJE13001P0,7560040070,2150˃85…7012 групп A/B/C…/L- / 1,5 / 0,3TO-92
SBN130010,660040090.5150-10…40-- / 2 / 0,8TO-92
SXW130019600400-0.5--8…70--TO-92
SXW1300110600400-0.5--10…40--TO-126
XW130017600400-0,25--8…70--TO-92
Исполнение SMD
MJD130010,370040080,2150˃810…406 групп A/B/C/…/F- / 2,4 / 0,9SOT-23
MJE13001A00,560040090,17150˃510…40-- / 3 / 1,2SOT-23
MJE13001AT0,860040090,17150˃510…40-- / 3 / 1,2SOT-89
MJE13001C00,6560040090,25150˃510…40-- / 3 / 0,6SOT-23
MJE13001CT160040090,25150˃510…40-- / 3 / 0,6SOT-89

Примечание. Маркировка:

  • MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
  • MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, примененяемые в пускорегулирующих устройствах осветительной аппаратуры, преобразователях напряжения, импульсных регуляторах и других переключающих устройствах.

Отечественное производство

ТипPC UCBUCEUBEICTJfThFEВрем. параметры: ton / tstg / tf мксКорпус
13001-00,870040090,415058…300,7 / 1,8 / 0,6TO-92
КТ538А0,760040090,512545-TO-92
2Т506А/Б0,8800/600800/6005215017300,25 / 1,56 / 0,5TO-39
КТ8270А760040090,5125410-TO-126

Зарубежное производство

ТипPC UCBUCEUBEICTJfThFEВрем. параметры: ton / tstg / tf мксКорпус
13001-00,860040090,515058…300,7 / 1,8 / 0,6TO-92
3DD6012A10,890050091,5150551 / 2 /1,5TO-92
BU103AH0,890060091,61505151 / 3 / 0,8TO-92
BU103DH0,880050091,61505201 / 3,5 / 0,8TO-92
BUJ1002700700-1150-140,88 / 1,2 / 0,3TO-92
CS130029,970048091150-8-TO-92
CS130030,970048091,5150-8-TO-92
KSB13003H1,190053091,51504201,1 / 4 / 0,7TO-92
KSB13003HR1,190053091,51504201,1 / 4 / 0,7TO-92
KTC3003HV1,190053091,51504201,1 / 3 / 0,7TO-92
MJE13002AHT1,285050091,5150-20-TO-92(S)
MJE13003HT1,385050092150-20-TO-92
MJE13003J1190055091,5150510- / 6 / 1,2TO-92
MJE13003J1G190055091,5150510-TO-92
MJE13003L1190053091,5150510- / 5 / 1,2TO-92
STD59151,190053091,51504201,1 / 4 / 0,7TO-92
STX6162,8980500121,5150-250,2 / 5 / 0,65TO-92

Примечания:

  1. Для транзистора MJE13002AHT возможны также корпуса: TO-126(S), TO-251(S), SOT-89.
  2. Данные в таблицах взяты из даташип-производителя. 

Графические иллюстрации характеристик

Зависимость статического коэффициента усиления транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы IC/IB = 5.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения UBE(sat) база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы IC/IB = 5.

Ограничение мощности рассеивания при увеличении температуры внешней среды

Рис. 4. Ограничение мощности рассеивания PC при увеличении температуры внешней среды Ta.

Область безопасной работы

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Ограничительные кривые определены при в импульсном режиме при длительностях импульсов: 1 мс, 100 мс, 1с.

radiosvod.ru
Добавить комментарий