Транзистор 13001: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

13001 — кремниевый, со структурой NPN, высоковольтный транзистор средней мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение — TO-92 (L, S, T), TO-126; а также исполнение SMD — SOT-89, SOT-23.

Содержание

Корпус и цоколевка
Предназначение
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Электрические параметры
Модификации и группы
Аналоги
Отечественное производство
Зарубежное производство
Графические иллюстрации характеристик

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в качестве переключающего элемента в импульсных модулирующих устройствах общего назначения.

Характерные особенности

Высокое пробивное напряжение: U_CBO = 600 В.
Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE₍_sat₎ ≤ 0,75 В при I_C = 0,1 А
Высокая скорость переключений.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	U_CBO	600
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	U_CEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	U_EBO	6
Ток коллектора постоянный, А	I_C	0,3
Ток коллектора импульсный, А	I_CP	0,6
Ток базы постоянный, А	I_B	0,04
Рассеиваемая мощность (T_a = 25°C), Вт	P_C	1
Рассеиваемая мощность (T_c = 25°C), Вт	P_C	10
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	T_j	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	T_stg	-55…+150

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Напряжение коллектор-база, В	U_CBO	I_C = 100 мкА	600
Напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEO	I_C = 10 мА	400
Напряжение эмиттер-база, В	U_EBO	I_E = 10 мкА	6
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB = 550 В	10
Ток коллектора выключения, мА	I_CEO	U_CB = 400 В	10
Ток эмиттера выключения, мкА	I_EBO	U_EB = 6,0 В	10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)1 ٭	I_C = 50 мА, I_B = 10 мА	0,4
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)2 ٭	I_C = 100 мА, I_B = 20 мА	0,75
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)٭	I_C = 50 мА, I_B = 10 мА	1
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1) ٭	U_CE = 10,0 В, I_C = 10 мА	≥ 8
	h_FE(2) ٭	U_CE = 10,0 В, I_C = 50 мА	10…36

٭ — получено в импульсном режиме: длительность импульса – 380 мкс, скважность поступления импульсов — ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a = 25°C.

Модификации и группы

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	h_FE	Группы по h_FE	Врем. параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
13001-0	0,8	700	400	9	0,4	150	˃ 5	8…30	-	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92T
13001-2	0,8	700	400	9	0,45	150	˃ 5	8…30	-	0,7 / 2,0 / 0,6	TO-92T
13001-A	0,8	600	400	9	0,5	150	˃5	8…30	-	0,7 / 2,5 / 0,6	TO-92T
3DD13001	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	5…26	Группы A/B	- / 1,5 / 0,3	TO-92
3DD13001A1	0,8	600	400	9	0,25	150	˃5	15…30	-	0,8 / 1 / 1	TO-92
3DD13001P	0,6	600	400	9	0,17	150	˃5	15…30	-	1 / 3 / 1	TO-92
3DD13001P1	0,6	600	400	9	0,2	150	˃5	15…30	-	1 / 3 / 1	TO-92
3DD13001A1	0,8	600	400	9	0,25	150	˃5	15…30	-	1 / 3 / 1	TO-92
ALJ13001	1	600	400	7	0,2	150	˃8	10…40	10 групп без обозначения	- / 1,5 / 0,3	TO-92
CD13001	0,9	500	400	9	0,5	150	-	-	6 групп A/B/C/…/F	- / 1,5 / 0,3	TO-92
CS13001	0,75	700	480	9	0,2	150	-	8…30	4 группы без обозначения	-	TO-92
HMJE13001	1	600	400	6	0,3	150	-	8…36	-	-	TO-92
MJ13001A	0,625	500	400	8	0,5	150	˃10	8…40	-	-	TO-92
MJE13001	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	10…70	12 групп A/B/C…/L	-	TO-92, SOT-89
MJE13001A1	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	-	- / 3 / 1,2	TO-92
MJE13001A2	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	-	- / 3 / 1,2	TO-92L
MJE13001AH	1	700	480	9	0,3	150	-	5…30	-	- / 2 / 0,8	TO-92(S)
MJE13001B1	1	600	400	9	0,2	150	˃5	10…40	-	- / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001C1	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	-	- / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001C2	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	-	- / 3 / 0,6	TO-92L
MJE13001DE1	1	600	400	9	0,5	150	˃5	10…40	-	- / 3 / 0,8	TO-92
MJE13001E1	1	600	400	9	0,45	150	˃5	10…40	-	- / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001E2	1	600	400	9	0,45	150	˃5	10…40		- / 3 / 0,6	TO-92L
MJE13001H	1	700	480	9	0,18	150	-	5…30	-	-	TO-92(S)
MJE13001P	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	5…70	12 групп A/B/C…/L	- / 1,5 / 0,3	TO-92
SBN13001	0,6	600	400	9	0.5	150	-	10…40	-	- / 2 / 0,8	TO-92
SXW13001	9	600	400	-	0.5	-	-	8…70	-	-	TO-92
SXW13001	10	600	400	-	0.5	-	-	10…40	-	-	TO-126
XW13001	7	600	400	-	0,25	-	-	8…70	-	-	TO-92
Исполнение SMD
MJD13001	0,3	700	400	8	0,2	150	˃8	10…40	6 групп A/B/C/…/F	- / 2,4 / 0,9	SOT-23
MJE13001A0	0,5	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	-	- / 3 / 1,2	SOT-23
MJE13001AT	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	-	- / 3 / 1,2	SOT-89
MJE13001C0	0,65	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	-	- / 3 / 0,6	SOT-23
MJE13001CT	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	-	- / 3 / 0,6	SOT-89

Примечание. Маркировка:

MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, примененяемые в пускорегулирующих устройствах осветительной аппаратуры, преобразователях напряжения, импульсных регуляторах и других переключающих устройствах.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	h_FE	Врем. параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
13001-0	0,8	700	400	9	0,4	150	5	8…30	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92
КТ538А	0,7	600	400	9	0,5	125	4	5	-	TO-92
2Т506А/Б	0,8	800/600	800/600	5	2	150	17	30	0,25 / 1,56 / 0,5	TO-39
КТ8270А	7	600	400	9	0,5	125	4	10	-	TO-126

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	h_FE	Врем. параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
13001-0	0,8	600	400	9	0,5	150	5	8…30	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92
3DD6012A1	0,8	900	500	9	1,5	150	5	5	1 / 2 /1,5	TO-92
BU103AH	0,8	900	600	9	1,6	150	5	15	1 / 3 / 0,8	TO-92
BU103DH	0,8	800	500	9	1,6	150	5	20	1 / 3,5 / 0,8	TO-92
BUJ100	2	700	700	-	1	150	-	14	0,88 / 1,2 / 0,3	TO-92
CS13002	9,9	700	480	9	1	150	-	8	-	TO-92
CS13003	0,9	700	480	9	1,5	150	-	8	-	TO-92
KSB13003H	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
KSB13003HR	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
KTC3003HV	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 3 / 0,7	TO-92
MJE13002AHT	1,2	850	500	9	1,5	150	-	20	-	TO-92(S)
MJE13003HT	1,3	850	500	9	2	150	-	20	-	TO-92
MJE13003J1	1	900	550	9	1,5	150	5	10	- / 6 / 1,2	TO-92
MJE13003J1G	1	900	550	9	1,5	150	5	10	-	TO-92
MJE13003L1	1	900	530	9	1,5	150	5	10	- / 5 / 1,2	TO-92
STD5915	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
STX616	2,8	980	500	12	1,5	150	-	25	0,2 / 5 / 0,65	TO-92

Примечания:

Для транзистора MJE13002AHT возможны также корпуса: TO-126(S), TO-251(S), SOT-89.
Данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Зависимость статического коэффициента усиления транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения U_CE₍_sat₎ коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 5.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения U_BE₍_sat₎ база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки I_C.

Ограничение мощности рассеивания при увеличении температуры внешней среды

Рис. 4. Ограничение мощности рассеивания P_C при увеличении температуры внешней среды T_a.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Ограничительные кривые определены при в импульсном режиме при длительностях импульсов: 1 мс, 100 мс, 1с.

Автор публикации

не в сети 1 месяц

Антон ИТ

Комментарии: 0Публикации: 495Регистрация: 02-12-2020