7.3k.
BD140 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности
41.9k.
КТ315 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный
15.6k.
C4106 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, мезапланарный
19.7k.
C2335 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный
37.9k.
13001 — кремниевый, со структурой NPN, высоковольтный
10.7k.
5027 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный
19.8k.
2N60B – мощный полевой N-канальный транзистор с изолированным затвором.
12.8k.
IRFZ44N — полевой МОП-транзистор из кремния.
55k.
S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный
21.3k.
C3198 — кремниевый, планарно-эпитаксиальный транзистор
