MB10F — кремниевый диодный модуль по схеме мостового выпрямителя. Конструктивное исполнение — MBF-корпус для поверхностного монтажа (SMD).
Корпус, распиновка, схема
Предназначение
Предназначен для двухполупериодного выпрямления однофазного переменного напряжения в источниках питания радиоэлектронной аппаратуры, зарядных устройствах, адаптерах и т. п.
Характерные особенности
- Миниатюрность конструкции.
- Малое падение напряжения в проводящем состоянии.
- Высокое значение ударного прямого тока.
- Высокое значение напряжения пробоя в обратном направлении.
Характеристики, представленные ниже, определялись в следующем режиме: температура внешней среды, если не указано иное, Ta = 25°C. Однофазная сеть, частота 60 Гц, одна полуволна тока, индуктивная или резистивная нагрузка. При емкостной нагрузке значения токов необходимо уменьшить на 20%.
Предельные эксплуатационные характеристики
Превышение этих параметров приводит к необратимому ухудшению свойств или потере работоспособности любого п/п прибора.
| Характеристика, ед. измерения | Обозначение | Величина | |
|---|---|---|---|
| Максимальное повторяющееся обратное напряжение, В | 1000 | ||
| Максимальное среднеквадратичное обратное напряжение, В | URMS | 700 | |
| Максимальное блокирующее обратное напряжение постоянного тока, В | UDC | 1000 | |
| Максимальный среднеквадратичный прямой ток, А | IF(AV) | 0,5 | |
| Ta = 110°C | 0,8 | ||
| Максимальный неповторяющийся ударный прямой ток, А | IFSM | 30 | |
| Тепловое сопротивление p/n-переход – внешняя среда, °С/Вт | RƟJA | 63 ٭ | |
| Тепловое сопротивление p/n-переход – внешний вывод, °С/Вт | RƟJL | 39 ٭ | |
| Допустимое значение интеграла плавления (интеграла Джоуля), А2с | I2t | 3,74 ٭٭ | |
| Диапазон рабочих температур п/п структуры, °С | TJ | ||
| Диапазон температур хранения, °С | Tstg | -55°С…+150°С | |
٭ — на каждый элемент диодного модуля.
٭٭ — при протекании импульса тока длительностью 1 мс…8,3 мс.
Электрические параметры
| Характеристика, ед. измерения | Обозначение | Особенности измерений | Величина |
|---|---|---|---|
| Обратное напряжение пробоя, В | IR = 5 мкА | ||
| Максимальное падение напряжения в прямом направлении, мгновенное значение, В | UF | IF = 0,8 А | 1,1 |
| Максимальный обратный постоянный ток при номинальном блокирующем напряжении, мкА | IR | Ta = 25°C | ≤ 5,0 |
| Ta = 100°C | ≤ 500,0 | ||
| Емкость p/n перехода при обратном напряжении, пФ | CT | 8 |
Модификации (версии) диодного моста MB10F
| Тип | IR | IR | SMD | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB10F | 700 | 0,5 | 25 | 150 | 85 | 1 | 5 | 500 | 13 | MBF | ||
| MB10F | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 35 | 150 | 75 | 1 | 5 | 500 | 15 | MB-F |
| MB10F | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 90 | 1,1 | 5 | 40 | 13 | MBF |
| MB10F | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 30 | 150 | - | 5 | 500 | - | MB-F | |
| MB10F | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 35 | 150 | 70 | 1 | 5 | 100 | 13 | MBF |
| MB10FB | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 95 | 1,1 | 5 | 40 | 13 | MBF |
| MB10FH | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 70 | 1,1 | 5 | 100 | 13 | MBF |
| MB10FK | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 35 | 150 | 60 | 1,1 | 5 | 100 | 13 | MBF |
| MB10FN | 1000 | 700 | - | 0,5 | 25 | 150 | 120 | 0,95 | 5 | 500 | 13 | MBF |
| MB10FU | 1000 | 700 | - | 1 | 35 | 150 | 120 | 1,1 | 5 | 500 | 25 | MBF |
| MB10F-S | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 85 | 1 | 5 | 500 | - | MBF-S |
| 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 60 | 1 | 5 | 500 | 13 | ||
| MB10F-0,5 | 1000 | 700 | 1000 | 0,5 | 20 | 150 | 110 | 1,1 | 5 | 40 | 11 | MBF |
| MB10F-10 | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 35 | 150 | 80 | 1,1 | 5 | 40 | 13 | MBF |
| MB10F-12 | 1000 | 700 | 1000 | 1,2 | 40 | 150 | 75 | 1,1 | 5 | 80 | 18 | MBF |
| MB10F-13 | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 63 | 1,1 | 5 | 500 | 8 | MBF |
| MB10F-15 | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 50 | 150 | 70 | 1,1 | 5 | 100 | 25 | MBF |
| MB10F-PJ | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 90 | 1,1 | 5 | 40 | 13 | MBF |
Аналоги
Для замены могут подойти блоки диодные кремниевые, диффузионные, выпрямительные, предназначенные для использования в источниках питания и выпрямительных устройствах аппаратуры общего назначения.
Отечественное производство
| Тип | Ta | RƟJA | UF | IR | IR | CT | Корпус | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB10F | 1000 | 700 | 1000 | 0,5 | 25 | 150 | 85 | 1 | 5 | 500 | 13 | |
| 600 | - | - | 1 | - | 85 | - | 4 | - | 125 | - | - | |
| КЦ403А/Ж | 600 | - | - | 1 | - | 85 | - | 4 | - | 125 | - | - |
| КЦ404А/Ж | 600 | - | - | 1 | - | 85 | - | 4 | - | 125 | - | - |
| КЦ405А/Ж | 600 | - | - | 1 | - | 85 | - | 4 | - | 125 | - | - |
Зарубежное производство
| Тип | TJ | UF | IR | IR | CT | Корпус, примечания | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB10F | 25 | 85 | 1 | 5 | 500 | 13 | MBF (SMD) | |||||
| DB107 | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 50 | 150 | - | 1,1 | 10 | 500 | - | DB-1 (SMD) |
| DB107S | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 50 | 125 | - | 1,1 | 10 | 500 | - | DB-1S (SMD) |
| DB157 | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 60 | 150 | - | 1,1 | 5 | 500 | - | DB-1 (SMD) |
| DB157S | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 60 | 150 | 40 | 1,1 | 5 | 500 | - | DB-S (SMD) |
| DF10 | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 30 | 150 | 40 | 1,1 | 10 | 500 | 25 | DIL (SMD) |
| B10S | 1000 | 700 | 1000 | 0,8 | 30 | 150 | 85 | 1 | 5 | - | 25 | MDI (SMD) |
| B10S | 1000 | 700 | 1000 | 1 | 35 | 150 | - | 1 | 5 | 500 | - | MB-S (SMD) |
| B500S | 1000 | 500 | - | 1 | 40 | 150 | 60 | 1,1 | 10 | - | - | SO-DIL (SMD) |
| MS500 | 1000 | 500 | - | 0,5 | 20 | 150 | 70 | 10 | - | - | ||
| B500C800 | 1200 | 500 | 1200 | 0,8 | 45 | 125 | - | 1 | 5 | 500 | - | WOB * |
| 1200 | 500 | 1200 | 1 | 45 | 125 | - | 1 | 10 | 500 | - | WOB * | |
| W10M | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 40 | 125 | 36 | 1 | 10 | 500 | - | WOB * |
| W10L | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 50 | 125 | - | 1 | 10 | - | RC2 * | |
| W10G | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 50 | 125 | 36 | 1 | 10 | 1000 | 24 | AM * |
| RB157 | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 50 | 125 | - | 1 | 10 | 1000 | - | RB-15 * |
| KBP10M | 1000 | 700 | 1000 | 1,5 | 50 | 150 | 28 | 1,1 | 10 | 500 | 15 | KBP * |
* — стержневые выводы.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Вид обратной ветви ВАХ выпрямителя. Зависимость обратного тока утечки IRот обратного приложенного напряжения на каждом из диодов моста UR (в мгновенных значениях) при различных температурах среды.
Рис. 2. Зависимость емкости p/n перехода диода моста CT от величины обратного приложенного напряжения UR.
Характеристика снята при частоте напряжения f = 1 МГц.
Рис. 3. Вид прямой ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ) выпрямителя (диодного моста). Зависимость прямого выпрямленного тока IF от прямого падения напряжения на каждом из диодов моста UF (в мгновенных значениях) при различных температурах среды.
Рис. 4. Зависимость допустимого среднего значения рассеиваемой мощности моста PF(AV) от величины среднего тока нагрузки моста IF(AV) при предельной температуре p/n переходов диодов модуля Tj = 150°C.
Рис. 5. Ограничение прямого выпрямленного тока IF через мост при нарастании температуры внешней среды Ta.
Надписи на поле рисунка:
- Note 5 – при снятии характеристик устройство было смонтировано на печатной плате одностороннего фольгированного текстолита FR-4 размерами 1” × 1” с медными контактными площадками с размерами 0,1” × 0,15”.
- Note 6 — устройство было смонтировано на печатной плате одностороннего фольгированного текстолита FR-4 размерами 1” × 1” с медными контактными площадками с размерами 0,56” × 0,73”.
Рис. 5. Перегрузочная способность выпрямителя. Зависимость величины максимального неповторяющегося ударного прямого тока IFSM от количества полуволн тока на частоте 60 Гц.
Надпись на поле рисунка поясняет режим испытаний:
- температура среды Ta = 25°C;
- одиночные полуволны тока;
- длительность полуволн 8,3 мс;
- (методика по JEDEC).
Автор публикации
