КТ815Г является биполярным транзистором с высокой мощностью и высокой частотой. Он относится к типу NPN (отрицательный-положительный-отрицательный) и обладает определённой структурой и особенностями, которые делают его эффективным в различных электронных устройствах. КТ815Г обычно применяется во многих высокочастотных устройствах, включая радиоприёмники, передатчики, усилители и другие электронные схемы.
Распиновка
Транзистор КТ815Г доступен в различных корпусах, таких как КТ-27 (ТО-126) и КТ-89 (DPAK). Вот распиновка (цоколевка) для каждого из этих корпусов:
КТ-27 (ТО-126):
- Эмиттер (E)
- Коллектор (C)
- База (B)
КТ-89 (DPAK):
- Эмиттер (E)
- Коллектор (C)
- База (B)
Маркировка транзистора КТ815Г указывает на его тип и характеристики. Для правильного определения устройства необходимо обратить внимание на следующие особенности: буква «КТ» обозначает биполярный транзистор, а числовая часть «815» указывает на конкретную модель транзистора. Буква «Г» в конце маркировки может указывать на различные варианты параметров или серии данного устройства.
Характеристики
Максимальные характеристики КТ815Г:
- Вот переписанный список максимальных характеристик транзистора КТ815Г:
- Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб≤100Ом):
- КТ815А, А9: Uкэ max = 40 В;
- КТ815Б, Б9: Uкэ max = 50 В;
- КТ815В, В9: Uкэ max = 70 В;
- КТ815Г, Г9: Uкэ max = 100 В;
- Напряжение эмиттер-база: Uэб max = 5 В;
- Постоянный ток коллектора: Iк max = 1,5 А;
- Импульсный ток коллектора: Iки max = 3 А;
- Максимально допустимый постоянный ток базы: Iб max = 0,5 А;
- Рассеиваемая мощность коллектора: Pк max = 10 Вт;
- Температура перехода: Tпер = 150 °C.
Ниже представлена таблица с электрическими параметрами
| Название параметра | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Мин. | Макс. |
|---|---|---|---|---|---|
| Граничное напряжение колл-эмиттер | Uкэо | В | Iэ=50mA, tи=0,3 — 1 мс | 85 | |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мкА | Uкэ=50 В, Uкэ=65 В | 50 | |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэр | мкА | Uкэ=50 В, Rбэ≤100 Ом | 100 | |
| Статический коэффициент передачи тока | h21э | Uкб=2 B, Iэ=0,15A | 30 | 275 | |
| КТ815Г, Г9 | 30 | 275 | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэнас | В | Iк=0,5 A, Iб=50 мA | 0,6 |
Примечание: В таблице приведены значения электрических характеристик для транзистора КТ815Г при температуре среды 25 °C. Различные режимы измерения и условия указаны в соответствующих столбцах. Пожалуйста, обратите внимание, что некоторые значения могут быть пропущены в таблице в случае отсутствия информации.
Комплементарная пара
КТ815Г имеет комплементарную пару — КТ814Г. Они являются биполярными транзисторами схожей структуры и параметров, но с противоположными полярностями. КТ814Г также относится к типу NPN и применяется в аналогичных электронных устройствах.
Аналоги
В качестве аналогов КТ815Г могут быть использованы следующие устройства:
- 2SC5200;
- MJL3281A;
- TIP35C.
Данные транзисторы являются ближайшими по характеристикам к КТ815Г и обладают схожими параметрами, такими как максимальное напряжение, ток и мощность.
Производители и Datasheet
Транзистор КТ815Г производят белорусский завод «Интеграл» г. Минск и российское предприятие «Кремний» г. Брянск. Оба производителя предлагают высококачественные электронные компоненты, включая транзисторы. У «Интеграла» и «Кремния» есть соответствующие datasheet, содержащие подробные технические характеристики транзистора КТ815Г.
